Monolitik Mikrodalga Tümleşik Devre Teknolojisi (MMIC)
Resim 1: MMIC teknolojisi ile üretilmiş GaAs-MeSFET güç modülü
Monolitik Mikrodalga Tümleşik Devre teknolojisi (Monolithic Microwave Integrated Circuit, MMIC) bir monokristal altkatman (substrate) üzerine aktif ve pasif aygıtların yerleştirilmesinde kullanılan bir teknolojidir. Bu devreler oldukça yüksek bir sınır frekansında çalıştırılabilirler.
GaAs-MESFET ler sıkça radar aygıtlarındaki katıhal yüksek güç yükselteçlerinde kullanılır.
| Teknoloji | Kullanım alanı | Durum | Notlar |
|---|---|---|---|
| Silisyum- iki-kutuplu ve CMOS | <6 GHz | Oldukça gelişmiş, piyasadan temini kolay, CAD desteği iyi. | BJT: yüksek kazançlı, küçük toleranslı, Silisyum-altkatman: dielektrik kayıpları çok fazla, özel sipariş MMIC lerde yüksek maskeleme maliyeti. Analog ve sayısal devrelerin beraber bulunduğu yerler için uygun. |
| Silisyum-germanyum- iki-kutuplu (Si-Ge) | <10 GHz | Çok kısa zamanda yüksek seviyeye geliştirildi. CAD-desteği üzerinde çalışılıyor. | Çok karmaşık, masraflı bir işlem. Analog ve sayısal devrelerin beraber bulunduğu yerler için uygun. |
| GaAs-MESFET | <10 GHz | Oldukça gelişmiş, özel sipariş MMIC lerin piyasadan temini kolay. CAD desteği iyi. | Basit teknoloji: Az sayıda özel siparişler için bile uygun fiyat. Güç yükselteçleri için uygun. |
| GaAs-farklı iki-kutuplu transistörler (HBT) | <20 GHz | Piyasaya sunuldu. CAD- desteği üzerinde çalışılıyor. | Hızlı sayısal devreler, osilatörler ve güç yükselteçleri için uygun. |
| İndiyum-Fosfit- HEMT (InP) | <100 GHz | Piyasaya sunuldu. CAD desteği üzerinde çalışılıyor. | InP-HEMT: mm dalga boyunda ki küçük işaretler ve düşük gürültü seviyesi için en iyisi. |
| İndiyum-Fosfit- HBT (InP) | <230 GHz | Piyasaya sunuldu. | Hızlı sayısal devreler için uygun. |
Çizelge 1: MMIC-teknolojilerine toplu bakış (2003 itibarıyla)