MMIC- Technologie
Bild 1: GaAs-MeSFET Powermodul in MMIC Technologie
MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit)- Technologie ist eine Technologie zur Herstellung aktiver und passiver Bauelemente auf einem monokristallinen Substrat. Diese Schaltungen können dann bis zu einer relativ hohen Grenzfrequenz betrieben werden.
GaAs-MeSFETs werden häufig in Solid-State Hochleistungsverstärkern von Radargeräten eingesetzt.
Technologie | Einsatz bereich | Stand | Bemerkungen |
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Silizium- Bipolar und CMOS | <6 GHz | Sehr ausgereift, kommerziell verfügbar, gute CAD-Unterstützung. | BJT: hohe Verstärkung, kleine Toleranzen, Si-Substrat: stark verlustbehaftes Dielektrikum. Sehr hohe Maskenkosten für kundenspezifische MMICs. Geeignet für gemischt analog/digitale Schaltungen |
Silizium-Germanium- Bipolar (Si-Ge) | <10 GHz | In kurzer Zeit auf hohen Stand ent-wickelt. CAD-Unterstützung im Aufbau. | Sehr komplexer, aufwändiger Prozess. Geeignet für gemischt analog/digitale Schaltungen. |
GaAs-MESFET | <10 GHz | Ausgereift, kommerziell gut verfügbar für kundenspezifische MMICs. Gute CAD-Unterstützung. | Einfache Technologie: kostengünstig für kundenspezifische Schaltungen mit kleinen Stückzahlen. Geeignet für Leistungsverstärker. |
GaAs-Hetero-Bipolartransistoren (HBT) | <20 GHz | In kommerzieller Einführung. CAD-Unterstützung im Aufbau. | Geeignet für schnellste Digitalschaltungen, Oszillatoren und Leistungsverstärker. |
Indium-Phosphid- HEMT (InP) | <100 GHz | In kommerzieller Einführung. CAD-Unterstützung im Aufbau. | InP-HEMT: beste mm-Wellen- Kleinsignal- und Rauscheigenschaften. |
Indium-Phosphid-HBT (InP) | <230 GHz | In kommerzieller Einführung. | Geeignet für schnellste Digitalschaltungen. |
Tabelle 1: Übersicht von MMIC- Technologien (Stand 2003)